1. 據日本經濟新聞本(7)月16日報導稱，株式會社日本製鋼所(Kabushiki Kaisha Nihon Seikosho、JSW)為量産新世代半導體氮化鎵基板，預定將在北海道室蘭製作所進行實證試驗；同時並將與日商三菱化學控股(HD)攜手合作，目標設定在2023年度開始量産上市。
2. 相較於傳統的矽半導體基板，上述氮化鎵基板的電力損失較少及耐用性高，若把控制電力之矽基板轉換為氮化鎵基板，預估可節省約10％的耗電量。自10多年前開始，各界關注未來氮化鎵基板可望取代矽基板，成為新一代半導體基板，惟由於製造成本偏高，迄今難以實現量産。
3. 去(2020)年日本製鋼所與三菱化學、日本東北大學共同合作研發氮化鎵基板的量産方法。各界期待氮化鎵基板産品，未來將可成為控制電壓及電流的功率半導體，可用於純電動汽車(EV)、工業設備及電網等廣泛領域。另外，據日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)的調查統計，去(2020)年氮化鎵功率半導體市場規模約22億日圓，預估2030年將快速成長至166億日圓，大幅增加7.5倍左右。

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